성장 접합 트랜지스터

성장 접합 트랜지스터는 최초로 만들어진 바이폴라 접합 트랜지스터 유형입니다. 1948년 6월 23일(1948년 6월 26일 특허 출원)에 벨 연구소의 윌리엄 쇼클리가 발명했으며, 최초의 바이폴라 점 접촉 트랜지스터가 나온 지 6개월 후였습니다. 최초의 게르마늄 프로토타입은 1949년에 만들어졌습니다. 벨 연구소는 1951년 7월 4일에 쇼클리의 성장 접합 트랜지스터를 발표했습니다.
NPN 성장 접합 트랜지스터는 두 개의 PN 접합이 성장된 반도체 소재의 단일 결정으로 만들어집니다. 성장 과정에서 시드 결정은 용융 반도체 욕조에서 천천히 뽑혀 막대 모양의 결정(부울)으로 성장합니다. 용융 반도체는 처음에 N형으로 도핑됩니다. 성장 과정에서 미리 정해진 순간에 P형 도펀트의 작은 펠릿이 추가되고, 거의 즉시 N형 도펀트의 다소 큰 펠릿이 추가됩니다. 이러한 도펀트는 용융 반도체에 용해되어 이후 성장되는 반도체의 유형을 변경합니다. 생성된 결정은 N형 소재 섹션 사이에 샌드위치된 P형 소재의 얇은 층을 갖습니다. 이 P형 층은 두께가 천분의 일 인치에 불과할 수 있습니다. 결정을 슬라이스하여 얇은 P형 층을 슬라이스 중앙에 두고 막대로 자릅니다. 각 막대는 N형 끝을 지지 및 전도 리드에 납땜하여 트랜지스터로 만든 다음, 매우 가는 금 리드를 중앙 P형 층에 용접하고, 마지막으로 밀폐된 캔에 싸서 만듭니다. 반대 도펀트를 사용하는 유사한 공정은 PNP 성장 접합 트랜지스터를 만듭니다.